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DMN26D0UT
5
4
4
3
V GS = 4.5V
T A = 150°C
3
V GS = 1.8V
2
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
2
V GS = 2.5V
1
T A = -55°C
V GS = 4.5V
1
0
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
2.0
1.8
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
4.0
3.5
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 4.5V
I D = 500mA
V GS = 2.5V
I D = 150mA
3.0
2.5
2.0
1.5
V GS = 2.5V
I D = 150mA
V GS = 4.5V
0.6
0.4
1.0
0.5
I D = 500mA
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
1.4
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
0.8
0.7
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
0.6
1.0
0.5
T A = 25°C
0.8
0.6
I D = 250μA
I D = 1mA
0.4
0.3
0.4
0.2
0
0.2
0.1
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMN26D0UT
Document number: DS31854 Rev. 2 - 2
3 of 6
www.diodes.com
September 2009
? Diodes Incorporated
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